参数资料
| 型号： | SE5230D |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.25 V/µs |
| 增益带宽积： | 600kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 40nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 1.1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
NE5230, SA5230, SE5230
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Single Supply Voltage
VCC
18
V
Dual Supply Voltage
VS
±9
V
Input Voltage (Note 1)
VIN
±9 (18)
V
Differential Input Voltage (Note 1)
±VS
V
CommonMode Voltage (Positive)
VCM
VCC + 0.5
V
CommonMode Voltage (Negative)
VCM
VEE 0.5
V
Power Dissipation (Note 2)
PD
500
mW
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
N Package
D Package
RqJA
130
182
°C/W
Operating Junction Temperature (Note 2)
TJ
150
°C
Operating Temperature Range
NE
SA
SE
TA
0 to 70
40 to 85
40 to 125
°C
Indefinite
s
Storage Temperature
Tstg
65 to 150
°C
Lead Soldering Temperature (10 sec max)
Tsld
230
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Can exceed the supply voltages when VS ≤±7.5 V (15 V).
2. The maximum operating junction temperature is 150°C. At elevated temperatures, devices must be derated according to the package thermal
resistance and device mounting conditions.
Derate above 25°C at the following rates:
N package at 7.7 mW/°C
D package at 5.5 mW/°C.
3. Momentary shorts to either supply are permitted in accordance to transient thermal impedance limitations determined by the package and
device mounting conditions.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Characteristic
Value
Unit
Single Supply Voltage
1.8 to 15
V
Dual Supply Voltage
±0.9 to ±7.5
V
CommonMode Voltage (Positive)
VCC + 0.25
V
CommonMode Voltage (Negative)
VEE 0.25
V
Temperature
NE Grade
SA Grade
SE Grade
0 to +70
40 to +85
40 to +125
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SA5534N | IC OPAMP SGL LOW NOISE 8-DIP |
| SA5534AN | IC OPAMP SGL LOW NOISE 8-DIP |
| SA5534AD | IC OPAMP SGL LOW NOISE 8-SOIC |
| 9-1879208-3 | RES 68.0K OHM 1/16W 0.1% 0402 |
| LTC6253CMS8#TRPBF | IC OPAMP R-R 720MHZ 8-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SE5230DG | 功能描述:运算放大器 - 运放 LOW VOLTAGE OPAMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| SE5230DR2 | 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| SE5230DR2G | 功能描述:运算放大器 - 运放 LOW VOLTAGE OP-AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| SE5234N,112 | 功能描述:运算放大器 - 运放 MATCHED QUAD HI-PER OPAMP40-85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| SE5234N/01,112 | 功能描述:IC OPAMP MATCHED QUAD HP 14-DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 放大器类型:电压反馈 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:33 V/µs 增益带宽积:20MHz -3db带宽:30MHz 电流 - 输入偏压:2nA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:2.5mA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:14-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。