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参数资料
| 型号： | SEP8505-003 |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 3.05 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 935 nm |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 424K |
| 代理商： | SEP8505-003 |
GaAs Infrared Emitting Diode
SEP8505
Relative Power Output vs
Free Air Temperature
gra_130.ds4
T
A - Free-air temperature - (°C)
R
e
la
ti
v
e
p
o
w
e
r
o
u
tp
u
t
0.1
1.0
10
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100
0.2
0.5
2.0
5.0
I
F = 30 mA
I
F = 20 mA
I
F = 10 mA
I
F = 40 mA
Fig. 7
All Performance Curves Show Typical Values
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
39
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SEP8705-002 | 3.05 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SES10-100-A | ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER |
| SES10-200-AB | ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER |
| SF1-BR/G | DUAL COLOR LED, BRIGHT RED/GREEN, 2.25 mm |
| SF1-O/G | DUAL COLOR LED, ORANGE/GREEN, 2.25 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SEP8505-004 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述: |
| SEP8505-120 | 功能描述:红外发射源 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SEP8506 | 制造商:HONEYWELL 制造商全称:Honeywell Solid State Electronics Center 功能描述:GaAs Infrared Emitting Diode |
| SEP8506-001 | 功能描述:红外发射源 GaAs Emitting Diode Side-emitting Pls Pk RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SEP8506-002 | 功能描述:红外发射源 GaAs Emitting Diode Side-emitting Pls Pk RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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