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参数资料
| 型号： | SFH4200-Q |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | SFH4200-Q |
SFH 4200, SFH 4205
2008-01-14
3
Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
λ
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
λ
40
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
± 60
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimensions of the active chip area
L × B
L × W
0.3
× 0.3
mm
Schaltzeiten, I
e von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50
Switching times,
Ι
e from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50
t
r, tf
10
ns
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
I
F = 1 A, tp = 100 s
V
F
V
F
1.5 (
≤ 1.8)
3.2 (
≤ 4.3)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R = 3 V
I
R
0.01 (
≤ 10)
A
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Φ
e typ
35
mW
Temperaturkoeffizient von I
e bzw. Φe,
I
F = 100 mA
Temperature coefficient of I
e or Φe, IF = 100 mA
TC
I
– 0.44
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F, IF = 100 mA
Temperature coefficient of
V
F, IF = 100 mA
TC
V
– 1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
λ, I
F = 100 mA
Temperature coefficient of
λ, I
F = 100 mA
TCλ
+ 0.2
nm/K
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