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参数资料
| 型号： | SFH7221-Z |
| 元件分类： | 光电元器件 |
| 英文描述： | SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMT, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | SFH7221-Z |
SFH 7221
2009-03-05
5
Kennwerte Fototransistor (
T
A = 25 °C, λ = 880 nm)
Characteristics Phototransistor
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
990
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ
440
… 1150
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
( 240 μm)
Radiant sensitive area
( 240 μm)
A
0.038
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L × B
0.45
× 0.45
mm
× mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
H
0.5
… 0.7
mm
Halbwinkel
Half angle
± 60
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
C
CE
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE = 25 V, E = 0
I
CEO
1 (
≤ 200)
nA
Fotostrom
Photocurrent
E
e = 0.1 mW/cm
2, V
CE = 5 V
I
PCE
≥ 16
μA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise time/Fall time
I
C = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
t
r, tf
7
μs
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C = 5 μA, Ee = 0.1 mW/cm
2
V
CEsat
150
mV
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