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参数资料
| 型号： | SFN030 |
| 厂商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 14 A, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DIE |
| 文件页数： | 53/60页 |
| 文件大小： | 1774K |
| 代理商： | SFN030 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSTA70T216 | 200 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SDT5552 | 2 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| SDT5556 | 2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| SMA73 | 5 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| SMA25-1 | 2 MHz - 1500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFN06VD02CBQLF7 | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:SON THIN FILM NETWORK 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:SON THIN FILM NETWORK |
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| SFN06VD05CBQLF7 | 功能描述:RES NET 20K OHM 2 RES 6-DFN RoHS:是 类别:电阻器 >> 网络、阵列 系列:SFN06VD 产品目录绘图:EXB-(N,V)(8,4)V Series EXB-(N,V)(8,4)V Series Top EXB-(N,V)(8,4)V Series Side EXB-x8V Series Circuit 标准包装:1 系列:EXB 电路类型:隔离 电阻（欧姆）:1.3 电阻数:4 引脚数:8 每个元件的功率:31mW 容差:±5% 温度系数:±200ppm/°C 应用:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0804（2010 公制），凹陷 供应商设备封装:0402 x 4 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.039" W（2.00mm x 1.00mm） 高度:0.018"（0.45mm） 包装:Digi-Reel® 工作温度:-55°C ~ 125°C 产品目录页面:2293 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:Y101R3DKR |
| SFN06VD06CBQLF7 | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:SON THIN FILM NETWORK 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:SON THIN FILM NETWORK |
| SFN06VD07CBQLF7 | 功能描述:RES NET MULT OHM 2 RES 6-DFN RoHS:是 类别:电阻器 >> 网络、阵列 系列:SFN06VD 产品目录绘图:4(3,6)00 Series Circuit Bussed 4600X Series Side 1 4600X Series Side 2 标准包装:200 系列:4600X 电路类型:总线式 电阻（欧姆）:33k 电阻数:7 引脚数:8 每个元件的功率:200mW 容差:±2% 温度系数:±100ppm/°C 应用:- 安装类型:通孔 封装/外壳:8-SIP 供应商设备封装:- 尺寸/尺寸:0.798" L x 0.098" W（20.27mm x 2.49mm） 高度:0.200"（5.08mm） 包装:散装 工作温度:-55°C ~ 125°C 其它名称:4608X-1-333 |
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