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参数资料
| 型号： | SFT1341-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10A TP |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 112 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | TP |
| 包装： | 散装 |
Ordering number : ENA1444A
SFT1341
P-Channel Power MOSFET
–40V, –10A, 112m Ω , Single TP/TP-FA
Features
http://onsemi.com
?
1.8V drive
?
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--40
±10
--10
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--40
1.0
15
150
--55 to +150
A
W
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions unit : mm (typ)
7518-004
Package Dimensions unit : mm (typ)
7003-004
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1341-E
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1341-TL-E
4
4
0.85
0.7
1.2
0.85
1
2
3
0.5
0.6
1
2
3
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
0.6
2.3
2.3
0 to 0.2
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2.3
TP
TP-FA
Product & Package Information
? Package : TP
? JEITA, JEDEC : SC-64, TO-251
? Package : TP-FA
? JEITA, JEDEC : SC-63, TO-252
? Minimum Packing Quantity : 500 pcs./bag
Marking
(TP, TP-FA)
T1341
LOT No.
? Minimum Packing Quantity : 700 pcs./reel
Packing Type (TP-FA) : TL Electrical Connection
1
2, 4
TL
3
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
60612 TKIM/40809PA MSIM TC-00001932 No. A1444-1/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1341-TL-E | MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA |
| SFT1342-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP |
| SFT1342-TL-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA |
| SFT1345-H | MOSFET P-CH 100V 11A TP |
| SFT1350-TL-H | MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1341-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1342 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1342-E | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1342-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1345 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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