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参数资料
| 型号： | SFT1342-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA |
| 标准包装： | 700 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TP-FA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SFT1342
mm
Outline Drawing
SFT1342-TL-E
Mass (g) Unit
0.282
* For reference
Land Pattern Example
7.0
1.5
Unit: mm
2.3
2.3
No. A1559-6/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1345-H | MOSFET P-CH 100V 11A TP |
| SFT1350-TL-H | MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA |
| SFT1423-E | MOSFET N-CH 500V 2A TP |
| SFT1423-TL-E | MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA |
| SFT1431-E | MOSFET N-CH 35V 11A TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1345 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1345-H | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1345-TL-H | 功能描述:MOSFET P-CH SWITCHING TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SFT1350 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1350-H | 功能描述:MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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