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参数资料
| 型号： | SFT1440-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 欧姆 @ 800mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 130pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TP |
| 包装： | 散装 |
SFT1440
Taping Speci ? cation
SFT1440-TL-E
No. A1816-5/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3292-2.048 | OSC 2.0480 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| MC12ED220G-F | CAP MICA 22PF 500V 2% 1210 |
| C3292-19.440 | OSC 19.440 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| 150155J100IE | CAP FILM 1.5UF 100VDC AXIAL |
| C3292-18.432 | OSC 18.432 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1440-TL-E | 功能描述:MOSFET WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1443-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1443-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1445 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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