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参数资料
| 型号： | SGH20N60RUFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 32A |
| 功率 - 最大： | 195W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
60
60
50
Common Emitter
T C = 25 ℃
20V
15V
12V
50
Common Emitter
V GE = 15V
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
40
30
20
10
0
V GE = 10V
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
1
10
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
5
4
Common Emitter
V GE = 15V
40A
28
24
V CC = 300V
Load Current : peak of square wave
20
3
2
30A
20A
I C = 10A
16
12
8
1
4
Duty cycle : 50%
T C = 100 ℃
0
0
Power Dissipation = 32W
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
100
1000
Case Temperature, T C [ ℃ ]
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
20
Common Emitter
T C = 25 ℃
16
12
8
Frequency [KHz]
Fig 4. Load Current vs. Frequency
20
Common Emitter
T C = 125 ℃
16
12
8
4
20A
40A
4
20A
40A
0
I C = 10A
0
I C = 10A
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 5. Saturation Voltage vs. V GE
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 6. Saturation Voltage vs. V GE
SGH20N60RUFD Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SGH23N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-CHANNEL IGBT |
| SGH23N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
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| SGH23N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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