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参数资料
| 型号： | SGH40N60UFDM1TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| 标准包装： | 450 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
100
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
100
V R = 200V
I F = 15A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
10
10
1
1
0
1
2
3
100
1000
Forward Voltage Drop, V F [V]
Fig 18. Forward Characteristics
800
V R = 200V
di/dt [A/us]
Fig 19. Reverse Recovery Current
120
V R = 200V
600
I F = 15A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
100
I F = 15A
T C = 25 ℃
T C = 100 ℃
80
400
60
200
40
0
20
100
1000
100
1000
di/dt [A/us]
Fig 20. Stored Charge
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
di/dt [A/us]
Fig 21. Reverse Recovery Time
SGH40N60UFD Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SGH40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| SGH5N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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