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参数资料
| 型号： | SGL1-90 |
| 厂商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| 封装： | PLASTIC, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | SGL1-90 |
Fig. 1 Forward characteristic ( typical values )
Fig. 2 Rated forward current vs. temp. of the terminals
4)
SGL 1-20 ... SGL 1-100
2
08-03-2007 MAM
by SEMIKRON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBD4004 | 40 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SDR1008UF | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SSR1009DMU | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SDA676-11 | 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SV-3SS | SILICON, STABISTOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGL-23 | 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk |
| SGL25N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGL25N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGL25N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGL25N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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