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参数资料
| 型号： | SGL34-60P |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.8 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| 封装： | PLASTIC, GL34, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | SGL34-60P |
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGL34-50P | 0.8 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-40 | 0.8 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-30 | 0.8 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-60 | 0.8 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL41-40 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGL34-90 | 制造商:SEMIKRON 制造商全称:Semikron International 功能描述:Schottky barrier rectifiers diodes |
| SGL40N150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |
| SGL40N150D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |
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| SGL40N150TU | 功能描述:IGBT 晶体管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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