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参数资料
| 型号： | SGL40N150DTU |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | SGL40N150DTU |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGL40N150D Rev. A1
IGBT
S
G
L40N150D
SGL40N150D
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
provides low conduction and switching losses.
The SGL40N150D is designed for induction heating
applications.
Features
High speed switching
Low saturation voltage : VCE(sat) = 3.7 V @ IC = 40A
High input impedance
Built-in fast recovery diode
Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Description
SGL40N150D
Units
VCES
Collector-Emitter Voltage
1500
V
VGES
Gate-Emitter Voltage
± 25
V
IC
Collector Current
@ TC = 25°C40
A
Collector Current
@ TC = 100°C20
A
ICM (1)
Pulsed Collector Current
120
A
IF
Diode Continuous Forward Current
@ TC = 100°C10
A
IFM
Diode Maximum Forward Current
100
A
PD
Maximum Power Dissipation
@ TC = 25°C
200
W
Maximum Power Dissipation
@ TC = 100°C80
W
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +150
°C
Tstg
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
TL
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
300
°C
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC(IGBT)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.625
°C/W
RθJC(DIODE)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.83
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
--
25
°C/W
Applications
Home appliances, induction heaters, IH JAR, and microwave ovens.
G
C
E
TO-264
G
C
E
G
C
E
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PDF描述 |
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参数描述 |
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