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参数资料
| 型号： | SGP20B |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | SGP20B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGP10G | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SGP30A | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SGP15G | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| SHB601031E | 8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, MO-078AA |
| SHD115524A | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGP20N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGP20N60_09 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
| SGP20N60HS | 功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGP20N60HS_09 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
| SGP20N60HSXKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 20A 178W TO220-3 |
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