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参数资料
| 型号： | SHV-10DN |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.002 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | SHV-10DN |
54
Division
General purpose
For general FBT
For high-frequency
multi-layer FBT
For ultra-high-frequency
multi-layer FBT
For general type microwave oven
For inverter-type microwave oven
For automotive ignition coil
4-5
High-Voltage Rectifier Diodes
Fig. No.
1
2
3
4
5
6
5
6
7
2
5
8
6
VRM
IF(AV)
VF (max)
(kV)
(mA)
(V)
22
16
32
16
32
16
10
2*
40
12
2*
45
14
2*
55
16
2*
60
20
2*
75
24
2*
75
62*
26
82*
30
10
2*
38
12
2*
45
82*
30
10
2*
38
12
2*
45
9
350
9
8
350
14
2.5
30
5
330
6
430
8
15
30
trr (
S) IF=IRP
Ta=25C
Ta=100C
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.18
-
0.15
0.2
0.15
0.2
0.15
0.2
0.15
0.2
0.15
0.2
0.15
0.2
0.15
0.2
--
0.15
-
Vz=2.6~5.0kV
Vz=3.2~6.0kV
Vz=4.5~8.0kV
Vz=16.0~30.0kV
Part No.
SHV-02
SHV-03S
SHV-03
SHV-10
SHV-12
SHV-14
SHV-16
SHV-20
SHV-24
SHV-06EN
SHV-08EN
SHV-10EN
SHV-12EN
SHV-08DN
SHV-10DN
SHV-12DN
HVR-1X-40B
UX-F5B
SHV-05JS
SHV-06JN
SHV-08J
SHV-30J
*FBT High voltage Rectifier Capacitive Load, Tc
≤100C
No. 1
No. 2
No. 3
No. 4
No. 5
No. 6
No. 7
No. 8
External Dimensions
3
27min
2
0.
5
27min
0.5
2.5
10
3
0.
6
27min
12
3
0.
6
27min
6.5
2.5
27min
0.5
27min
10
2.5
0.
5
27min
1.
2
22min
21±1
7±0.5
7
±0.5
27min
8±0.2
0.6
27min
3
(unit: mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SHV-05JS | 0.03 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SHVM12.5F | 0.35 A, 12500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SHVM2.5F | 0.35 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SHVM5F | 0.35 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SHVM10F | 0.35 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SHV-10EN | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:High-Voltage Rectifier Diodes |
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| SHV-10UK | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:High-Voltage Rectifier Diodes |
| SHV-12 | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:High-Voltage Rectifier Diodes |
| SHV12-0.5K6000N | 制造商:TRACOPOWER 制造商全称:TRACO Electronic AG 功能描述:HV-Power Supplies |
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