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参数资料
| 型号： | SI1037X-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 770mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1037X
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( ? )
0.195 at V GS = - 4.5 V
0.260 at V GS = - 2.5 V
0.350 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 0.84
- 0.73
- 0.64
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Low Threshold
? Smallest LITTLE FOOT ? Package:
1.6 mm x 1.6 mm
? Low 0.6 mm Profile
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-89 (6-LEADS)
APPLICATIONS
? Cell Phones and Pagers
D
1
6
D
- Load Switch
D
2
5
D
Marking Code
? Battery Operated Systems
N
WL
G
3
4
S
Lot Traceability
and Date Code
Part Number Code
Top View
Ordering Information: Si1037X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 20
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 0.84
- 0.68
-4
- 0.77
- 0.62
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a
I S
- 0.18
- 0.14
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
0.21
0.13
- 55 to 150
0.17
0.10
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
t ? 5s
Steady State
R thJA
500
600
600
720
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper.
Document Number: 70686
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1037X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.84A 0.21W 195mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1039X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI1039X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1039X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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