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参数资料
| 型号： | SI1102-A-GMR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR OPTICAL DETECTOR |
| 产品培训模块： | Si1102 & Si1120 |
| 特色产品： | QuickSense? Portfolio |
| 标准包装： | 1 |
| 检测距离： | 19.7"（50cm）1.6' |
| 检测方法： | 反射 |
| 物体感测： | 非金属 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 电流 - 电源： | 400mA |
| 电源电压： | 2.2 V ~ 5.25 V |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 特点： | 低功率 |
| 其它名称： | 336-1819-6 |
Si1102
Table 3. Electrical Characteristics
Parameter
PRX Logic High Level
PRX Logic Low Level
I DD Shutdown
I DD Average Current
I DD Average Current
I DD Current during Transmit,
Symbol
VOH
VOL
I DD
Conditions/Notes
V DD = 3.3 V, Iprx = 4 mA
V DD = 3.3 V, Iprx = –4 mA
SREN = V DD , FR = 0,
V DD = 3.3 V
SREN = 0 V, V DD = 3.3 V, FR = 0
SREN = 0 V, V DD = 3.3 V,
FR = open
V DD = 3.3 V, LED I = 100 mA
Min
VDD – 0.6
—
—
30
—
—
Typ
—
—
0.1
120
5
8
Max
—
0.6
1.0
200
20
—
Units
V
V
μA
μA
μA
mA
Saturated Driver
I DD Current during Transmit,
V DD = 3.3 V, LED I = 400 mA
5
14
30
mA
Not Saturated
Sample Strobe Rate 1
Sample Strobe Rate 1
Sample Strobe Rate 1
Min. Detectable
Reflectance Input
SREN Low to TXO Active
TXO Leakage Current
TXO Current 2
TXO Saturation Voltage
FR
FR
FR
Emin
Tden
Itxo_sd
Itxo 1V
Vsat
V DD = 3.3 V, R2 = 0 ?
V DD = 3.3 V, R2 = 100 k ?
V DD = 3.3 V, R2 = (open)
V DD = 3.3 V, 850 nm source
V DD = 3.3 V
V DD = 3.3 V, no strobe
V TXO = 1 V, V DD = 3.3 V
I TXO = I TXO1V x 80%
100
—
—
—
200
—
100
—
250
7
2
1
500
0.01
380
0.5
600
30
8
—
1000
1
600
0.7
Hz
Hz
Hz
μW/
cm 2
μs
μA
mA
V
Notes:
2. When operating at VDD = 2.0 V, the typical TXO current is 250 mA.
Rev. 1.0
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SH513S3P36 | SHLD MINIMIZER STR EXTENSION |
| 5510P10P72 | CABLE STR MALE-R/A MALE 10POS 6' |
| SH562P2P36 | SHLD MINIMIZER DBL-ENDED STRT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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