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参数资料
| 型号： | SI2400-FS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 67/94页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | ISOmodem® |
| 数据格式： | V.21，V.22，V.23，Bell 103，Bell 212A |
| 波特率： | 2.4k |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.25 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 336-1166-ND - BOARD EVAL FOR SI2400 ISOMODEM |
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Si2400
Rev. 1.3
7
Figure 1. Test Circuit for Loop Characteristics
Table 5. AC Characteristics
(VD = 3.0 to 3.6 V, or 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70°C for K-Grade, TA = –40 to 85°C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Sample Rate
Fs
—
9.6
—
KHz
Crystal Oscillator Frequency
FXTL
—4.9152
—
MHz
Transmit Frequency Response
Low –3 dBFS Corner
—
5
—
Hz
Receive Frequency Response
Low –3 dBFS Corner
—
5
—
Hz
Transmit Full Scale Level1
VFS
FULL = 0 (–1 dBm)
—
1
—
VPEAK
FULL = 1 (+3.2 dBm)2
—1.58
—
VPEAK
Receive Full Scale Level1
VFS
FULL = 0 (–1 dBm)
—
1
—
VPEAK
FULL = 1 (+3.2 dBm)2
—1.58
—
VPEAK
Dynamic Range3,4,5
DR
ACT6 =0b, DCT
6 =10
b
(FCC) IL=100 mA
—82
—
dB
Dynamic Range3,4,7
DR
ACT = 0b, DCT = 01b
(Japan) IL =20mA
—83
—
dB
Dynamic Range3,4,5
DR
ACT = 1b, DCT = 11b
(CTR21) IL =60mA
—84
—
dB
Transmit Total Harmonic
Distortion5,8
THD
ACT = 0b, DCT = 10b (FCC)
IL =100 mA
—–85
—
dB
Transmit Total Harmonic
Distortion6,8
THD
ACT = 0b, DCT = 01b
(Japan) IL =20mA
—–76
—
dB
Receive Total Harmonic
Distortion7,8
THD
ACT = 0b, DCT = 01b
(Japan) IL =20mA
—–74
—
dB
Receive Total Harmonic
Distortion5,8
THD
ACT = 1b, DCT = 11b
(CTR21) IL =60mA
—–82
—
dB
Caller ID 60 Hz Common Mode
Tolerance9
VCM
> 60 dB line balance at
60 Hz
91
120
—
VPEAK
Notes:
1. Measured at TIP and RING with 600
Ω termination at 1 kHz.
2. R2 should be changed to a 243
Ω resistor when the SF5[7] (FULL) = 1
b.
3. DR
= 20 x log |Vin| + 20 x log (RMS signal/RMS noise).
4. Measurement is 300 to 3400 Hz. Applies to both transmit and receive paths.
5. Vin
= 1 kHz, –3 dBFS, Fs = 10300 Hz.
6. ACT
= SF5[4]; DCT = SF5[3:2].
7. Vin
= 1 kHz, –6 dBFS, Fs = 10300 Hz.
8. THD
= 20 x log (RMS distortion/RMS signal).
9. VCM can be improved to 120 Vrms minimum by placing a 20 MΩ resistor across the C9 capacitor.
RING
Si3015
V
TR
I
L
600 Ω
10 μ F
+
–
TIP
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