- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录16210 > SI3211PPTX-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVAL W/DISCRETE INTERFACE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI3211PPTX-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 2/148页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL W/DISCRETE INTERFACE |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 主要目的： | 接口，模拟前端（AFE） |
| 已用 IC / 零件： | Si3211 |
| 已供物品： | 板，CD |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页
Si3210/Si3211
10
Rev. 1.61
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 4. Linefeed Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70°C for F-Grade, –40 to 85°C for G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Loop Resistance Range*
RLOOP
See *Note.
0
—
160
DC Loop Current Accuracy
ILIM = 29 mA, ETBA = 4 mA
–10
—
10
%
DC Open Circuit Voltage
Accuracy
Active Mode; VOC =48V,
VTIP – VRING
–4
—
4
V
DC Differential Output
Resistance
RDO
ILOOP < ILIM
—160
—
DC Open Circuit Voltage—
Ground Start
VOCTO
IRING<ILIM; VRING wrt ground
VOC =48 V
–4
—
4
V
DC Output Resistance—
Ground Start
RROTO
IRING<ILIM; RING to ground
—160
—
DC Output Resistance—
Ground Start
RTOTO
TIP to ground
150
—
k
Loop Closure/Ring Ground
Detect Threshold Accuracy
ITHR = 11.43 mA
–20
—
20
%
Ring Trip Threshold
Accuracy
ITHR = 40.64 mA
–10
—
10
%
Ring Trip Response Time
User Programmable Register 70
and Indirect Register 36
———
Ring Amplitude
VTR
5 REN load; sine wave;
RLOOP =160 VBAT = –75 V
44
—
Vrms
Ring DC Offset
ROS
Programmable in Indirect
Register 19
0—
—
V
Trapezoidal Ring Crest
Factor Accuracy
Crest factor = 1.3
–.05
—
.05
Sinusoidal Ring Crest
Factor
RCF
1.35
—
1.45
Ringing Frequency Accuracy
f = 20 Hz
–1
—
1
%
Ringing Cadence Accuracy
Accuracy of ON/OFF Times
–50
—
50
ms
Calibration Time
CAL to CAL Bit
—
600
ms
Power Alarm Threshold
Accuracy
At Power Threshold = 300 mW
–25
—
25
%
*Note:
DC resistance round trip; 160
corresponds to 2 kft, 26 gauge AWG.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECM28DCCI | CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD |
| SI3216DCQ1-EVB | DAUGHTER CARD W/SI3201 INTERFACE |
| ECM28DCAI | CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD |
| SI3050DC1-EVB | DAUGHTERCARD DAA SI3050/SI3018 |
| SI3216DCQX-EVB | DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3212 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PROSLIC PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3212-BT | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PROSLIC PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3212-KT | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PROSLIC PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3215 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3215-B-FM | 功能描述:电信线路管理 IC SINGLE CHANNEL SLIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:PHY 接口类型:UART 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:8 V 电源电流:30 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFQFPN-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。