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参数资料
| 型号： | SI3216MDCX-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 31/122页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC |
| 标准包装： | 1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页
Si3216
16
Rev. 1.0
Not
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fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 6. Monitor ADC Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Differential Nonlinearity
(6-bit resolution)
DNLE
–1/2
—
1/2
LSB
Integral Nonlinearity
(6-bit resolution)
INLE
–1
—
1
LSB
Gain Error (voltage)
—
10
%
Gain Error (current)
—
20
%
Table 7. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =5.0 V
(VDDA, VDDD = 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU:IO =–4mA
SDO, DTX:IO =–8 mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO = –40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =4 mA
SDO,INT,DTX:IO =8 mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
Table 8. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =3.3 V
(VDDA, VDDD = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU:IO =–2mA
SDO, DTX:IO =–4mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO =–40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =2mA
SDO,INT,DTX:IO =4mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
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