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参数资料
| 型号： | SI3433CDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI3433CDV-T1-GE3DKR |
New Product
Si3433CDV
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.038 at V GS = - 4.5 V
0.046 at V GS = - 2.5 V
0.060 at V GS = - 1.8 V
I D (A) a
-6
-6
-6
Q g (Typ.)
18 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
APPLICATIONS
? Load Switch
? Notebook
TSOP-6
Top View
(4) S
1
6
3 mm
2
5
(3) G
Marking Code
3
4
AX
XXX
Lot Tracea b ility
and Date Code
2. 8 5 mm
Part # Code
Orderin g Information: Si3433CD V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si3433CD V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
± 8.0
- 6.0 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 6.0 a
- 5.2 b, c
- 4.2 b, c
- 20
- 2.7
- 1.3 b, c
3.3
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.1
1.6 b, c
W
T A = 70 °C
1.0 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
60
25
80
38
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.
Document Number: 68803
S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 944U101K801AAM | CAP FILM 100UF 800VDC SCREW |
| ASA-40.970MHZ-L-T | OSC 40.970 MHZ 3.3V SMD |
| ASA-40.950MHZ-L-T | OSC 40.950 MHZ 3.3V SMD |
| NTD65N03R-035 | MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK |
| ASA-38.000MHZ-L-T | OSC 38.000 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3433DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI3433DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3433DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3434DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3434DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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