型号: | SI3454ADV-T1-E3 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分类: | MOSFETs |
英文描述: | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
中文描述: | 双N沟道30 V的(副)MOSFET的肖特基二极管 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 61K |
代理商: | SI3454ADV-T1-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SI3455ADV-T1-E3 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI3454ADV-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
SI3454ADV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 2.0W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI3454-B01-IM | 功能描述:IC POE PSE 4 PORT 802.3AT 38QFN 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:在售 类型:控制器(PSE),DC/DC 通道数:4 内部开关:无 辅助作用:无 标准:802.3at(PoE+),802.3af(PoE) 电压 - 电源:44 V ~ 57 V 电流 - 电源:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:406 |
SI3454CDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI3454CDV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.2A 1.5W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |