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参数资料
| 型号： | SI3454DV |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-6 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | SI3454DV |
Si3454ADV
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71108
S-40424—Rev. C, 15-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
100
600
10
10
1
10
2
10
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3454 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SI3455ADV | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET to switch white LED's; |
| SI3455ADV-T1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3455ADV-T1-E3 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3455DV | Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3454DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3454DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3455ADV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3455ADV-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 2.7A TSOP6 |
| SI3455ADV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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