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参数资料
| 型号： | SI3458BDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI3458BDV-T1-E3DKR |
Si3458BDV
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
60
R DS(on) ( Ω )
0.100 at V GS = 10 V
0.128 at V GS = 4.5 V
I D (A) d
4.1
3.6
Q g (Typ.)
3.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Applications
TSOP-6
Top View
? LED Backlight Switch
? DC/DC Converter
D
1
6
D
D
(1, 2, 5, 6)
3 mm D
2
5
D
Marking Code
G
3
4
S
A N
XXX
Lot Tracea b ility
G
and Date Code
(3)
2. 8 5 mm
Part # Code
(4)
Orderin g Information: Si345 8 BD V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si345 8 BD V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
4.1
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
3.2
3.2 a, b
2.5 a, b
10
2.9
1.7 a, b
3.3
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.1
2 a, b
W
T A = 70 °C
1.3 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, c
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
53
32
62.5
38
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 5 s.
c. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.
d. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 69501
S09-0660-Rev. B, 20-Apr-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 604XR-48BLK | LEAD TEST HD XR-XR BLK 48" |
| VX-014-1C23 | SWITCH BASIC SPDT .1A .187QC |
| E62-50K | SWITCH ROLLER SPDT 10A .093 QC |
| E62-30K | SWITCH ROLLER SPDT 10A QC TERM |
| 57140-000 | MAGNET COMPACT FLNGEMT FOR 59140 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3458BDV-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 4.1A TSOP |
| SI3458BDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SI3458DVT1 | 制造商:VISHAY 功能描述:60V 3.2A 2W |
| SI3458DV-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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