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参数资料
| 型号： | SI3905DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3905DV
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.125 at V GS = - 4.5 V
0.175 at V GS = - 2.5 V
0.265 at V GS = - 1.8 V
TSOP-6
Top View
I D (A)
± 2.5
± 2.0
± 1.7
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S 2
S 1
G1
1
6
D1
3 mm
S2
2
5
S1
G 1
G 2
G2
3
4
D2
2.85 mm
Ordering Information: Si3905DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
D 1
D 2
Si3905DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 2.5
± 2.0
±7
- 1.05
1.15
0.73
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Lead
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJL
93
130
75
110
150
90
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
Document Number: 70973
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3905DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3909DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3909DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3909DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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