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参数资料
| 型号： | SI3905DV |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道8 - V（下局副局长）MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | SI3905DV |
Si3905DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70973
S-61840—Rev. A, 13-Sep-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
2
4
6
8
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0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.1
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–50
–25
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25
50
75
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400
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V
GS
= 5 thru 3 V
25 C
T
C
= –55 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 5 V
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
1 V
125 C
1.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 3.6 V
2 V
2.5 V
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PDF描述 |
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| SI3905DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3905DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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