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参数资料
| 型号： | SI4100DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4100DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
100
R DS(on) ( Ω )
0.063 at V GS = 10 V
0.084 at V GS = 6 V
I D (A) d
6.8
5.8
Q g (Typ.)
9 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
? High Frequency Boost Converter
? LED Backlight for LCD TV
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
D
G
Top V ie w
Orderin g Information: Si4100DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4100DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
6.8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
5.4
4.4 a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
3.5 a, b
20
5
2.1 a, b
19
18
A
mJ
T C = 25 °C
6
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.8
2.5 a, b
W
T A = 70 °C
1.6 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, c
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
37
17
50
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
d. T C = 25 °C.
Document Number: 69251
S09-0220-Rev. B, 09-Feb-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI4102DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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