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参数资料
| 型号： | SI4136-F-GMR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 33/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | * |
| 驱动器/接收器数： | * |
| 规程： | * |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 28-QFN（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Si4136/Si4126
8
Rev. 1.41
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
XINDIV2 = 0
2
—
25
MHz
XIN Input Frequency
fREF
XINDIV2 = 1
25
—
50
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R for
XINDIV2 = 0
f= fREF/2R for
XINDIV2 = 1
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
2300
—
2500
MHz
RF2 VCO Tuning Range2
2025
—
2300
MHz
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT VCO Tuning Range from fCEN
Note: L ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
0.75
—
MHz/V
RF2 VCO Pushing
—
0.65
—
MHz/V
IF VCO Pushing
—
0.10
—
MHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
0.250
—
MHz p-p
RF2 VCO Pulling
—
0.100
—
MHz p-p
IF VCO Pulling
—
0.025
—
MHz p-p
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–130
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
1.2
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–131
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
1.0
—
degrees
rms
IF Phase Noise at 800 MHz
100 kHz offset
—
–104
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f(RF) = 1 MHz, f(IF) = 1 MHz, RF1 = 2.4 GHz, RF2 = 2.1 GHz, IFOUT = 800 MHz, LPWR = 0, for all parameters
unless otherwise noted.
2. RF VCO tuning range limits are fixed by inductance of internally bonded wires.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS3100F20-23PW | CONN RCPT 2POS WALL MNT W/PINS |
| VE-212-MX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| MS3101A20-25P | CONN RCPT 13POS FREE HNG W/PINS |
| SI4136-F-BM | SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF) |
| VE-212-MX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4136-F-GT | 功能描述:射频无线杂项 WLAN SATELITE RADIO TSSOP-24 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4136-F-GTR | 功能描述:射频无线杂项 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4136M-EVB | 功能描述:开发板和工具包 - 无线 802.11b and ISM Band RoHS:否 制造商:Arduino 产品:Evaluation Boards 工具用于评估:AT32UC3L 核心:AVR32 频率: 接口类型:USB 工作电源电压:5 V |
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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