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参数资料
| 型号： | SI4310BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2370pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.14W，1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4310BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.020
0.016
0.012
0.00 8
0.004
0.000
I D = 14 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
100
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10
160
1
V DS = 30 V
V DS = 24 V
120
0.1
8 0
0.01
0.001
40
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0
0 . 0 0 1
0.01
0 . 1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Reverse Current vs. Junction Temperature
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 C
Single P u lse
10 s
DC
Document Number: 73064
S09-2436-Rev. B, 16-Nov-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
7
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