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参数资料
| 型号： | SI4370DY |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 双N沟道30 V的（副）MOSFET的肖特基二极管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | SI4370DY |
Si4370DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72022
S-32621—Rev. C, 29-Dec-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET CHANNEL 1
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 93 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
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