型号: | Si4378DY-T1-E3 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N沟道20 - V(下局副局长)MOSFET的 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 55K |
代理商: | SI4378DY-T1-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SI4392DY-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
SI4392DY-T1 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
SI4392DY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
SI4392DY | N-Ch. Reduced Qg, Fast Switching WFET; Extr.Low Switching Loss |
SI4394DY | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4378DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4382DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.7mohm@10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4382DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4384DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4384DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |