- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录368615 > SI4378DY (Vishay Intertechnology,Inc.) N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4378DY |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | N通道20V（D-S）MOSFET |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | SI4378DY |
Si4378DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72918
S-40854—Rev. A, 03-May-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si4378DY-E3 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| Si4378DY-T1-E3 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4392DY-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4392DY-T1 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4392DY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4378DY_RC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters |
| SI4378DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4378DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4378DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4382DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.7mohm@10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。