型号: | SI4392DY |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Ch. Reduced Qg, Fast Switching WFET; Extr.Low Switching Loss |
中文描述: | N沟道,低Qg,快速开关 WFET,超低开关损耗 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 55K |
代理商: | SI4392DY |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SI4394DY | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
SI4394DY-E3 | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
SI4394DY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
SI4403DY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
SI4403BDY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4392DY_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET㈢ |
SI4392DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
SI4392DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4392DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4394DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |