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参数资料
| 型号： | SI4406DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4406DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.010
0.008
0.006
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
7000
5600
4200
2800
C iss
0.002
0.000
1400
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 20 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 20 A
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.020
0.016
0.012
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 20 A
0.008
T J = 25 °C
0.004
1
0.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71824
S09-0221-Rev. E, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
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参数描述 |
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| SI4406DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 3.5W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4408DY | 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4408DY-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4408DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 21A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4408DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20 Volt 21 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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