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参数资料
| 型号： | SI4411DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4411DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.010 at V GS = - 10 V
0.0155 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 13
- 10
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Notebook
SO-8
- Load Switch
- Battery Switch
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
Top View
Ordering Information: Si4411DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4411DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 13
- 10.5
- 50
-9
- 7.5
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 2.7
- 1.36
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
1.9
- 55 to 150
1.5
0.95
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
33
70
16
42
85
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72149
S09-0767-Rev. D, 04-May-09
www.vishay.com
1
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参数描述 |
|---|---|
| SI4411DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 13A 3.0W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4412ADY | 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4412ADY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4412ADY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4412ADYT1E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
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