- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21031 > SI4420DY (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4420DY |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *SI4420DY |
PD - 93835
Si4420DY
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Charge
Surface Mount
Logic Level Drive
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
V DSS = 30V
R DS(on) = 0.009 ?
Description
T o p V ie w
This N-channel HEXFET ? power MOSFET is produced
using International Rectifier's advanced HEXFET power
MOSFET technology. The low on-resistance and low gate
charge inherent to this technology make this device ideal
for low voltage or battery driven power conversion
applications
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced
thermal characteristics that allow power dissipation of
greater that 800mW in typical board mount applications.
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
E AS
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy ?
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
30
±12.5
±10
±50
2.5
1.6
0.02
400
± 20
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
mJ
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
50
°C/W
1
1/3/2000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-3000-A-U-D-5V-000-000 | SENSOR 3000PSI 7/16-20-2B 1-5V |
| P51-15-G-P-M12-4.5V-000-000 | SENSOR 15PSI M20-1.5 6G .5-4.5V |
| ISPLSI 2064VE-135LTN100 | IC PLD ISP 64I/O 7.5NS 100TQFP |
| REC3-1215SRW/H/B/M/SMD-R | CONV DC/DC 3W 9-18VIN 15VOUT |
| REC5-1215SRW/H6/A/SMD | CONV DC/DC 5W 9-18VIN 15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4420DY,518 | 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4420DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SI4420DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4420DYHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC - Rail/Tube |
| SI4420DYPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。