型号: | SI4470EY-T1 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N通道60 - V(下局副局长)MOSFET的 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SI4470EY-T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SI4480EY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
SI4480EY-T1 | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
SI4486EY-T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
SI4486EY | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
SI4493DY | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4470EY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4470EY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4472DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
SI4472DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4472DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |