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参数资料
| 型号： | SI4532DY |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A，3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI4532DYDKR |
September 1999
Si4532DY*
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N- and P-Channel enhancement mode power
field effect transistors are produced using Fairchild's
propretary, high cell density, DMOS technology. This very
high density process is especially tailored to minimize
on-state resistance and provide superior switching
performance. These devices are particularly suited for
low voltage applications such as notebook computer
power management and other battery powered circuits
where fast switching, low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.
Features
? N-Channel 3.9A, 30V.R DS(ON) = 0.065 ? @V GS = 10V
R DS(ON) = 0.095 ? @V GS = 4.5V.
? P-Channel -3.5A,-30V.R DS(ON) = 0.085 ? @V GS = -10V
R DS(ON) = 0.190 ? @V GS = -4.5V.
? High density cell design for extremely low R DS(ON) .
? High power and current handling capability in a widely
????used surface mount package.
? Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount
????package.
'
'
'
'
62
6
*
6
*
$EVROXWH 0D[LP XP 5DWLQJV
°
7KHUP DO &KDUDFWHULVWLFV
θ
θ
3DFNDJH 0DUNLQJ DQG 2UGHULQJ ,QIRUP DWLRQ
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
°
°
Si4532DY, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4542DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| SI4542DY | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC |
| SI4561DY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| SI4562DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
| SI4563DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4532DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4532DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4532DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4532DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SI4539 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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