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参数资料
| 型号： | SI4561DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A，7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3W，3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4561DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
5
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
4.0
3.2
2.4
1.6
0. 8
0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 69730
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09
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PDF描述 |
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| SI4562DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4561DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 40V 35/35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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