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参数资料
| 型号： | SI4646DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1790pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 6.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4646DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0115 at V GS = 10 V
0.0145 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
12 e
12 e
Q g (Typ.)
13.7 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? SkyFET ? Monolithic TrenchFET ? Power
MOSFET and Schottky Diode
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Notebook PC
SO-8
- System Power
? Buck Converter
D
S
S
S
1
2
3
8
7
6
D
D
D
? Synchronous Rectifier Switch
G
4
5
D
G
Schottky Diode
Top V ie w
Orderin g Information: Si4646DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4646DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
12 e
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
12 e
12 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
9.5 b, c
50
5.6
2.7 b, c
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
6.25
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
4.0
3.0 b, c
W
T A = 70 °C
1.9 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
33
16
42
20
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 90 °C/W.
e. Package limited.
Document Number: 68762
S09-0868-Rev. B, 18-May-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4652DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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