参数资料
型号: SI4804CDY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
标准包装: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 865pF @ 15V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
New Product
Si4804CDY
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
4.0
3.2
2.4
1.6
0. 8
0.0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68924
S-82485-Rev. A, 13-Oct-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料
PDF描述
FN9233EB-8-08 FILTER HI PERFORM MED CHOKE 8A
FXO-PC738-166.08 OSC 166.08 MHZ 3.3V PECL SMD
B32654A2823J FILM CAP 82NF 5% 2000V MKP
B32523Q685J FILM CAP 6.8UF 5% 63V
FXO-PC738-166.6286 OSC 166.6286 MHZ 3.3V PECL SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
SI4804DY 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4804DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4804DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4804DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4806DY 功能描述:MOSFET 30V 7.7/2A 2.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube