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参数资料
| 型号： | SI4866DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 17A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4866DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q g , Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
12
R DS(on) ( Ω )
0.0055 at V GS = 4.5 V
0.008 at V GS = 2.5 V
I D (A)
17
14
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? PWM Optimized for High Efficiency
? Low Output Voltage
? 100 % R g Tested
APPLICATIONS
? Synchronous Rectifier
? Point-of-Load Synchronous Buck Converter
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4866DY-T1-E3 (Lead Pb)-free)
Si4866DY-T1-GE3 (Lead Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
12
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
17
14
± 50
11
8
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
2.7
1.40
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
2.0
- 55 to 150
1.6
1.0
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET) a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
34
67
15
41
80
19
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71699
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09
www.vishay.com
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| SI4872DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI4872DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4873DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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