型号: | SI4884 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | TrenchMOS⑩ logic level FET |
中文描述: | 12 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
封装: | PLASTIC, SO-8 |
文件页数: | 1/12页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | SI4884 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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Si4884DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
SI5311-H | IRED |
SI5311-H(B) | IRED |
SI5411-H | IRED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI4884BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI4884BDY-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI4884BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4884BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI4884DY | 功能描述:MOSFET SO8 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |