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参数资料
| 型号： | Si4884DY |
| 厂商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| 中文描述： | N沟道场效应管同步降压稳压控制器输出电压低 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | SI4884DY |
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
10 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20020412
Description
Product data; version 02. Supersedes data of 15 March 2002.
Figure 3 t
p
label error corrected.
Product data; initial version
-
01
20020315
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| SI5311-H | IRED |
| SI5311-H(B) | IRED |
| SI5411-H | IRED |
| SI5411-H(B) | IRED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4884DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| SI4884DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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