- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录511 > SI4886DY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI4886DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4886DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
I D = 250 μA
60
50
40
30
20
10
- 0.8
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
P DM
0.05
t 1
t 1
0.02
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 68 °C/W
0.01
10 -4
Single Pulse
10 -3
10 -2
10 -1
1
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71142 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71142
S09-0869-Rev. B, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4890BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| SI4890DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| SI4894BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| SI4904DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC |
| SI4908DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4888DY | 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4888DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4888DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4888DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4888DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。