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参数资料
| 型号： | SI4943CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.2 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1945pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4943CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
8
V GS = 10 V thr u 5 V
24
6
V GS = 4 V
1 8
4
12
2
T C = 125 °C
6
0
V GS = 2 V
V GS = 3 V
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0.0 8
0.06
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
3000
2400
1 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.04
1200
0.02
0.00
V GS = 10 V
600
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 .3 A
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V , I D = 8 .3 A
8
1.3
V DS = 10 V
6
4
V DS = 16 V
1.1
V GS = 4.5 V, I D = 6.4 A
0.9
2
0
0.7
0
10
20
30
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69985
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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