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参数资料
| 型号： | SI5330F-A00214-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER TRANSLA 1:8 24-QFN |
| 标准包装： | 490 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配），变换器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:8 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | CMOS，HSTL，LVTTL，SSTL |
| 输出： | CMOS |
| 频率 - 最大： | 200MHz |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 24-QFN（4x4） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 627 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1552-5 |
Si5330
Rev. 1.1
7
HSTL Output Voltage
VOH
VDDO = 1.4 to 1.6 V
0.5xVDDO +0.3
—
V
VOL
——
0.5xVDDO
–0.3
V
Duty Cycle*
DC
45
—
55
%
*Note:
Input clock has a 50% duty cycle.
Table 5. OEB Input Specifications
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Input Voltage Low
VIL
—
0.3 x VDD
V
Input Voltage High
VIH
0.7 x VDD
——
V
Input Resistance
RIN
20
—
k
Table 6. Output Control Pins (LOS)
(VDD = 1.8 V –5% to +10%, 2.5 V ±10%, or 3.3 V ±10%, TA = –40 to 85 °C)
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage Low
VOL
ISINK =3mA
0
—
0.4
V
Rise/Fall Time 20–80%
tR/tF
CL < 10 pf, pull up 1k
—
10
ns
Table 7. Jitter Specifications
(VDD = 1.8 V –5% to +10%, 2.5 V ±10%, or 3.3 V ±10%, TA = –40 to 85°C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Additive Phase Jitter
(12kHz–20MHz)
tRPHASE
0.7 V pk-pk differential input
clock at 622.08 MHz with
70 ps rise/fall time
—
0.150
—
ps RMS
Additive Phase Jitter
(50kHz–80MHz)
tRPHASEWB
0.7 V pk-pk differential input
clock at 622.08 MHz with
70 ps rise/fall time
—
0.225
—
ps RMS
Table 8. Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
Value
Unit
Thermal Resistance
Junction to Ambient
JA
Still Air
37
°C/W
Thermal Resistance
Junction to Case
JC
Still Air
25
°C/W
Table 4. Input and Output Clock Characteristics (Continued)
(VDD = 1.8 V –5% to +10%, 2.5 V ±10%, or 3.3 V ±10%, TA = –40 to 85 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI5330F-A00214-GMR | 功能描述:时钟缓冲器 Sngl End In 3.3V out 1:8 ClkBuff 5-200MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| Si5330F-A00215-GM | 功能描述:时钟缓冲器 Sngl-End 2.5 V CMOS 8-out, 5 to 200 MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| SI5330F-A00215-GMR | 功能描述:时钟缓冲器 Sngl End In 2.5V out 1:8 ClkBuff 5-200MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| Si5330F-A00216-GM | 功能描述:时钟缓冲器 Sngl-End 1.8 V CMOS 8-out, 5 to 200 MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| SI5330F-A00216-GMR | 功能描述:时钟缓冲器 Sngl End In 1.8V out 1:8 ClkBuff 5-200MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
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