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参数资料
| 型号： | SI5475BDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 6.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5475BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 8 0 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73381 .
www.vishay.com
6
Document Number: 73381
S-83054-Rev. D, 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7X-25.000MCB-T | OSCILLATOR 25.000 MHZ 2.5V SMD |
| 93R1A-R22-A13L | POT 5K OHM 5/8" SQ 2W CERMET |
| 39LA-1PB-503 | POT 50K OHM 1/4W PLASTIC W/SW |
| 39LA-1PB-203 | POT 20K OHM 1/4W PLASTIC W/SW |
| 39LA-1PB-103 | POT 10K OHM 1/4W PLASTIC W/SW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5475BDC-T1-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5475BDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5475DC | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8 |
| SI5475DC | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8 |
| SI5475DC-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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