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参数资料
| 型号： | SI5905BDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5905BDC
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.080 at V GS = - 4.5 V
0.117 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
- 4 a
- 4 a
Q g (Typ.)
4 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
0.170 at V GS = - 1.8 V
- 3.5
APPLICATIONS
1206-8 ChipFET (Dual)
?
1
? Load Switch for Portable Devices
D 1
D 1
S 1
G 1
S 2
S 1
S 2
D 2
D 2
G 2
Marking Code
DH XXX
Lot Traceability
G 1
G 2
and Date Code
Part #
Bottom View
Code
Ordering Information: Si5905BDC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5905BDC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
- 4 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 4 a
- 3.5 b, c
- 2.8 b, c
- 10
- 2.6
- 1.2 b, c
3.1
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2
1.5 b, c
W
T A = 70 °C
0.94 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol Typical Maximum Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, f t ≤ 5s R thJA
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State R thJF
70 85
33 40
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. See Solder Profile ( www.vishay.com/ppg?73257 ). The 1206-8 ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
f. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.
Document Number: 74650
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
www.vishay.com
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PDF描述 |
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