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参数资料
| 型号： | SI5915BDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5915BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
t 1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 95 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
0.01
Single Pulse
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70484 .
www.vishay.com
6
Document Number: 70484
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32932A3473K | FILM CAP 47NF 10% 305V MKT X2 |
| HS16-1SN | SW ROTARY SP 12A SHORTING 1DECK |
| FXO-LC738-5 | OSC 5 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 4301.6304.01 | KFA POWER ENTRY MOD W. FLTR 6A |
| 5707.0801.313 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 8A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5915BDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SI5915DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI5915DCT1 | 制造商:Vishay 功能描述:_ |
| SI5915DC-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R 制造商:Vishay 功能描述:_ |
| SI5915DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 4.6A 2.1W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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